اکتشاف نیمه تفصیلی طلا در منطقه زرین

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 6

دانشگاه آزاد اسلامی

دانشکده علوم پایه: گروه زمین شناسی

پایان نامه کارشناسی ارشد

گرایش: زمین شناسی اقتصادی

عنوان:

اکتشاف نیمه تفصیلی طلا در منطقه زرین

استاد راهنما:

دکتر محمود مهر پرتو

استاد مشاور:

دکتر حسین شیخی کاریزکی

نگارش:

مرتضی برزآبادی فراهانی

تابستان 1384

Islamic Azad University

North Tehran Branch

Department of Geology

Economic Geology

Research title

Semidetial Gold Exploration in Zarrin Placer Area

Supervisor:

Mahmoud Mehrpartov Ph.D

Consulting Supervisor:

Hossein Sheikhi Karizaki Ph.D

By:

Morteza Borzabadi Farahani

Summer 2005

منابع و مآخذ:

1- ژئوشیمیستهای چک و اسلواکی، 1989، مطالعات ژئوشیمیایی یکصدهزارم ورقة زرین

2-قربانی، منصور، 1381، دیباچه‌ای بر زمین شناسی اقتصادی، پایگاه ملی داده‌های علوم زمین کشور

3-حسنی پاک، علی اصغر، 1378، اکتشافات ذخایر طلا، انتشارات دانشگاه تهران

4-حسنی پاک، علی اصغر، 1380، نمونه‌برداری معدنی، انتشارات دانشگاه تهران

5-آقانباتی، سید علی، 1383، زمین شناسی ایران، سازمان زمین‌شناسی و اکتشافات معدنی کشور

6-ف، آزرم، مطالعات اکتشافی ژئوشیمیایی طلا، در ناحیة زرین اردکان، سازمان زمین شناسی و اکتشافات معدنی کشور

7-عمرانی، سید جعفر، 1371، پترولوژی و ژئوشیمی سنگهای نفوذی ناحیة زرین، پایان نامه کارشناسی ارشد

8-سازمان زمین شناسی، 1368، بررسی های اکتشافی مقدماتی طلای زرین

9-آقانباتی، حقی پور، 1974، نقشة زمین شناسی اردکان

Refrences:

1- Thompson, M,and Howarth, R.J.(1978), A new approach to the estimation of analytical precision, Jurnal of geochemical Exploration, vol.9 , p.23 - 30

2-Clark, I. (1987),practical Geostatistics, Elsevior applied science publishers

3- Fletcher,W.K.(1981) , analytical method in geochemical. prospecting,

Handbook of exploration Geochemistry.

4- Sinclair, AJ.( 1981), application of probability graphs in mineral exploration, the association of exploration geochemists,P.95

5- Tweedie,E.B,1986 . the evander gold field . In : mineral deposits of southern afreca,eds.

6- Wilkins,J,Jr,1984 , the distribution of gold and silver bearing deposits in the basin and range province , western united states.

7-Taube,A, 1986, the mount morgan gold copper mine and environment

8-Royle,A.G,1988,sampling and evalution of gold deposits.partU. Department of mining and mineral engineering,the university fleeds,England,215pp.

9-Mann,A.W, 1984,Mobility of Gold and silver in weathering profiles

10-McHugh,S.B,1988,concentration of gold in nature waters, J.geochem. explor,30

تحقیق تریستور ها

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 17

تریستور ها از مهمترین قطعات نیمه هادی قدرت هستند وبسیار زیاد در مدارهای الکترونیک قدرت بکارگرفته می شوند . این عناصر کلید های دو حالته ای هستند که از حالت قطع به حالت وصل در می آیند. در بسیاری از کاربرد ها می توان تریسور را یک کلید اید ه آل فرض نمود اما در عمل رفتار تریستور ها دارای مشخصات و محدودیتهای خاص است.

تریستور عنصر نیمه هادی چهار لایه ای است که ساختار آن بصورت pnpn بوده و دارای سه پیوند pn است. این عنصر سه سر دارد . آند ؛ کاتد وگیت . تریستور ها به روش دیفیوژن ساخته می شوند .

هنگامی که ولتاژ آند نسبت به کاتد مثبت باشد پیوند های 1J و 3 J

درحالت بایاس مستقیم و پیوند 2 J در حالت بایاس معکوس قرار می گیرد وتنها جریان نشتی اندکی از آند به کاتد جریان می یابد. در این حالت می گوییم تریستور در وضعیت سد کنندگی مستقیم یا حالت قطع قرار دارد و جریان نشتی را جریان حالت قطعِِ D I می نامیم .اگر ولتاژ آند نسبت به کاتد VAK به قدر کافی زیاد شوند پیوند 2 J که در حالت بایاس معکوس قرار دارد شکسته می شود . این پدیده را شکست بهمنی وولتاژ متناظر با آن را ولتاژ شکست مستقیم VBO می نامیم.از آنجا که پیوند های 1J و 3 J قبلا در حالت بایاس مستقیم قرار گرفته اند حرکت آزادانه حامل ها در سه پیوند ؛ منجر به برقراری جریان مستقیم قابل ملا حظه ای در آند می شود . در این وضعیت تریستور در وضعیت هدایت یا وصل قرار می گیرد وهمچنین به خاطر مقاومت اهمی چهار لایه افت ولتاژ کوچکی در حدود V 1 مشاهده می گردد.

به منظور آنکه تعداد کافی از حاملها در پیوند جریان یابند جریان آند با ید از مقداری که جریان تثبیت کننده I L نامیده می شود . بیشتر باشد. در غیر این صورت با کاهش ولتاژآند نسبت به کاتد تریستور از حالت وصل به حالت قطع باز خواهد گشت . جریان تثبیت کننده I L حد اقل جریان آند مورد نیاز است که بعد از آنکه تریستور روشن شد و سیگنال گیت ازروی آن برداشته شد ؛ لازم است بر قرار باشد تا تریستور رادر حالت روشن نگه دارد.

هنگامی که تریستور شروع به هدایت کرد ؛ رفتار آن مشابه یک دیود در حال

هدایت می شود و کنترلی روی آن وجود ندارد . عنصر به هدایت خود ادامه خواهد داد چرا که به واسطه ی حرکت آزادانه ی حامل ها لایه تخلیه در پیوند 2 J وجود ندارند . عنصر به خود ادامه خواهد داد چرا که به واسطه حرکت آزادانه حامل ها لایه تخلیه در پیوند 2 J وجود ندارد . گر چه اگرجریان مستقیم آند به سطحی پایین تر از جریانی که نگهدارنده ی I H نامیده می شود ؛کاهش یابد ؛ به علت کاهش تعداد حاملها در اطراف پیوند 2 J یک ناحیه تخلیه ایجاد می گردد و تریستور در حالت قطع قرار می گیرد . جریان نگهدارنده در حد میلی آمپر بوده واز جریان تثبیت کننده I L است یعنی I H > I L جریان نگهدارنده کمترین جریان آند می باشد که تریستور رادر حالت روشن نگاه می دارد

عملکرد نوزایی یا تثبیت کنندگی به واسطه فیدیک مثبت را می توان با مدل دو ترانزیستوری تریستور توجیه کرد .هر تریستور را می توان به صورت دو ترانزیستور

مکمل (یک ترانزیستور Q1 pnp ویک ترانزیستور Q2 npn ) در شکل زیر در نظرگرفت.

روشن کردن تریستور :

هر تریستور با افزایش جریان آند آن روشن می گردد . روشن کردن تریستور به

یکی از روشهای زیر امکان پذیر است :

گرما: اگر دمای تریستور بالا رود تعداد زوجهای حفره - الکترون افزایش خواهد یافت در نتیجه جریان نشتی افزایش می یابد.واین افزایش جریانها a 1 + a2 را افزایش خواهد داد. بواسطه فرآیند نوزایی ( a 1 + a2 ) ممکن است به سمت واحد میل کند وامکان دارد تریستور روشن شود . این شیوه روشن شدن تریستور ممکن است باعث نا پایدلری حرارتی گردد وباید از آن اجتناب کرد.

آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

ارائه شده به:

توسط :

امیرحسین لطف اله‌پور

رشته : عمران

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل