فایل گزارش کارآموزی کامپیوتر.

دانلود گزارش کارآموزی کامپیوتر

فرمت فایل: ورد قابل ویرایش

تعداد صفحات: 95

فهرست:

شبکه چیست

مدل OSI

انواع شبکه 

وظایف لایه ها

توپولوژیهای شبکه 

Wire less   

انواع کابل شبکه 

switching Hub 

Mac Address  ها 

Collision Domain 

Switch

مسیر یابی

IP Address 

عدد MTU  

شبکه های فیبر نوری

نکاتی در مورد Wire less

Ports

Register & Unregister IP

TTL

دستور ping

RTT

IP config 

Traceroute

ARP

DHCP

DNS

فایل host

استفاده از فایل host

زیر شبکه ها

PSTN

مودمهای 56K

تکنولوژی ISDN

مقدمه

همانطور که می دانیم در دنیای امروز کامپیوتر از جایگاه خاصی بر خوردار بوده و اکثر کارها با کمک این وسیله به راحتی قابل انجام است  و البته هدف از ساخت کامپیوتر نیزسهولت ، دقت و سرعت در انجام فعالیتهای مختلف بوده است .

اما صحبت از کامپوتر و مزایای آن این روزها به قدری زیاد است که حتی انسانهای بی سواد هم در مورد مزایای آن چیزهای بسیاری شنیده اند و در ذهن شخصی که در مورد دانش کامپیوتر اطلاعات  چندانی ندارد این دستگاه هیولایی است که می توا ند هر کاری انجام دهد . اما واقعیت این است که هر کامپیوتر بر اساس برنامه هایی که به آن داده شده است کارهایش را انجام می دهد و در این میان مشخصات سخت افزاری کامپیوترها نیز باید به گونه ای باشد که نیازهای برنامه را از خیلی جها ت بر آورده سازد.بر روی هر کامپیوتر نیز می توان تعداد زیادی برنامه نصب کرد. پس با این نتیجه می رسیم که هر کامپیوتر به تنهایی می تواند کارهای زیادی انجام دهد و البته این بسیار ارزشمند است.

حال تصور کنید که دو کامپیوتر در یک مکان قرار گرفته اند وبر روی هر کدام از آنها برنامه ها و اطلاعاتی وجود داردکه ممکن است در دیگری موجود نباشد .حال اگر به طریقی این دو کامپیوتر به هم متصل شوند چه اتفاقی خواهد افتاد؟مطمئنا هر دو کامپوتر علاوه بر اطلاعات خود به اطلاعات  یکدیگرنیز دسترسی خواهند داشت و این مثال ساده به راحتی می تواند مفهوم شبکه های کامپیوتری و جایگاه آن را در ذهن تدایی دهد. حال اگر در سطهی وسیعتر تعداد زیادی کامپیوتر به هم متصل شوند شبکه ای به وجود خواهد آمد که در آن اطلاعات مختلفی بین کامپیوترها رد و بدل می شود و وقتی شما به یک کامپیوتر دراین شبکه دسترسی داشتید می توانید از اطلاعات و امکانات کامپیوترهای دیگر که به این شبکه متصل هستند نیز استفاده کنید. با امید به اینکه خواننده در مورد شبکه یک ذهنیت بسیار کوچک گرفته باشد از این به بعد تا آنجایی که ممکن است در مورد شبکه و چیز هایی ی که مربوط به آن می باشد صحبت خواهیم کرد.

شبکه چیست؟

اگر بخواهیم تعریف ساده ای از شبکه های کامپیوتری داشته باشیم می توان گفت که یک شبکه کامپیوتری عبارتست از گروهی از کامپیوترها که با یکدیگر در ارتباط بوده و اطلاعات را بین یکدیگر به اشتراک می گذارند . با توجه به این تعریف می توان نتیجه گرفت که برای بر پایی یک شبکه کامپیوتری حداقل دو کامپیوتر مورد نیاز

می باشد . شبکه های کامپیوتری امروزه به طور گسترده  مورد استفاده قرار می گیرند و هر روز نیاز به اتصال کامپیوترها به یکدیگر در حال افزایش است. اینترنت نمونه بسیار خوب برای فهم شبکه است زیرا امروزه عده زیادی با این شبکه گسترده به نوعی سر و کار دارند. شما در اینترنت می توانید با شخصی که کیلومتر ها با شما فاصله دارد ارتباط برقرار کرده ، با او صحبت کنید ، برای او فایل ارسال کنید و از یک دنیا اطلاعات که در این شبکه جهانی موجود است استفاده کنید . اما صحبت از شبکه و مزایای آن به حدی زیاد است که دراین پروژه مجالی برای صحبت در مورد آن نیست

قبل از اینکه وارد زیر ساختهای شبکه شویم برای فهم بهتر آن لازم است معنی و مفهوم هفت اصطلاح زیر را فرا گیریم :

دانلود گزارش کارآموزی کامپیوتر .

دانلود گزارش کارآموزی کامپیوتر

فرمت فایل: ورد قابل ویرایش

تعداد صفحات: 95

فهرست:

شبکه چیست

مدل OSI

انواع شبکه 

وظایف لایه ها

توپولوژیهای شبکه 

Wire less   

انواع کابل شبکه 

switching Hub 

Mac Address  ها 

Collision Domain 

Switch

مسیر یابی

IP Address 

عدد MTU  

شبکه های فیبر نوری

نکاتی در مورد Wire less

Ports

Register & Unregister IP

TTL

دستور ping

RTT

IP config 

Traceroute

ARP

DHCP

DNS

فایل host

استفاده از فایل host

زیر شبکه ها

PSTN

مودمهای 56K

تکنولوژی ISDN

مقدمه

همانطور که می دانیم در دنیای امروز کامپیوتر از جایگاه خاصی بر خوردار بوده و اکثر کارها با کمک این وسیله به راحتی قابل انجام است  و البته هدف از ساخت کامپیوتر نیزسهولت ، دقت و سرعت در انجام فعالیتهای مختلف بوده است .

اما صحبت از کامپوتر و مزایای آن این روزها به قدری زیاد است که حتی انسانهای بی سواد هم در مورد مزایای آن چیزهای بسیاری شنیده اند و در ذهن شخصی که در مورد دانش کامپیوتر اطلاعات  چندانی ندارد این دستگاه هیولایی است که می توا ند هر کاری انجام دهد . اما واقعیت این است که هر کامپیوتر بر اساس برنامه هایی که به آن داده شده است کارهایش را انجام می دهد و در این میان مشخصات سخت افزاری کامپیوترها نیز باید به گونه ای باشد که نیازهای برنامه را از خیلی جها ت بر آورده سازد.بر روی هر کامپیوتر نیز می توان تعداد زیادی برنامه نصب کرد. پس با این نتیجه می رسیم که هر کامپیوتر به تنهایی می تواند کارهای زیادی انجام دهد و البته این بسیار ارزشمند است.

حال تصور کنید که دو کامپیوتر در یک مکان قرار گرفته اند وبر روی هر کدام از آنها برنامه ها و اطلاعاتی وجود داردکه ممکن است در دیگری موجود نباشد .حال اگر به طریقی این دو کامپیوتر به هم متصل شوند چه اتفاقی خواهد افتاد؟مطمئنا هر دو کامپوتر علاوه بر اطلاعات خود به اطلاعات  یکدیگرنیز دسترسی خواهند داشت و این مثال ساده به راحتی می تواند مفهوم شبکه های کامپیوتری و جایگاه آن را در ذهن تدایی دهد. حال اگر در سطهی وسیعتر تعداد زیادی کامپیوتر به هم متصل شوند شبکه ای به وجود خواهد آمد که در آن اطلاعات مختلفی بین کامپیوترها رد و بدل می شود و وقتی شما به یک کامپیوتر دراین شبکه دسترسی داشتید می توانید از اطلاعات و امکانات کامپیوترهای دیگر که به این شبکه متصل هستند نیز استفاده کنید. با امید به اینکه خواننده در مورد شبکه یک ذهنیت بسیار کوچک گرفته باشد از این به بعد تا آنجایی که ممکن است در مورد شبکه و چیز هایی ی که مربوط به آن می باشد صحبت خواهیم کرد.

شبکه چیست؟

اگر بخواهیم تعریف ساده ای از شبکه های کامپیوتری داشته باشیم می توان گفت که یک شبکه کامپیوتری عبارتست از گروهی از کامپیوترها که با یکدیگر در ارتباط بوده و اطلاعات را بین یکدیگر به اشتراک می گذارند . با توجه به این تعریف می توان نتیجه گرفت که برای بر پایی یک شبکه کامپیوتری حداقل دو کامپیوتر مورد نیاز

می باشد . شبکه های کامپیوتری امروزه به طور گسترده  مورد استفاده قرار می گیرند و هر روز نیاز به اتصال کامپیوترها به یکدیگر در حال افزایش است. اینترنت نمونه بسیار خوب برای فهم شبکه است زیرا امروزه عده زیادی با این شبکه گسترده به نوعی سر و کار دارند. شما در اینترنت می توانید با شخصی که کیلومتر ها با شما فاصله دارد ارتباط برقرار کرده ، با او صحبت کنید ، برای او فایل ارسال کنید و از یک دنیا اطلاعات که در این شبکه جهانی موجود است استفاده کنید . اما صحبت از شبکه و مزایای آن به حدی زیاد است که دراین پروژه مجالی برای صحبت در مورد آن نیست

قبل از اینکه وارد زیر ساختهای شبکه شویم برای فهم بهتر آن لازم است معنی و مفهوم هفت اصطلاح زیر را فرا گیریم :

دانلود پروژه حکاکی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 13

حکاکی لایه نازک SiO2

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6 و CH3F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si3N4 خوب نیست .

حکاکی لایه نازک Si3N4

حکاکی کننده تر در دمای H3PO4,140 – 200C می باشد. SiO2 حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است. حکاکی Anisotropic برای Si3N4 با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C2F6 و CH3F انجام می شود.

حکاکی قربانی ( sacrificial )

قابلیت انتخاب حکاکی sacrifical روی Si باید خیلی بالا باشد. مواد متداول مورد استفاده PSG و Photorestis , Polyimide ها می باشند. PSG با استفاده از Resist برداشته می شود.

Polyimide ها با استفاده از حکاکی پلاسما برداشته می شوند.

2 – 14 – ساختار پایه ( Basic structures )

2 – 14 – 1 – در میکرو ماشینینگ توده ای سیلیکون

یکی از ممکن ترین و بارزترین ساختارها الگودهی هادی های عایق شده الکتریکی است. یکی از کاربردهای آن می تواند استفاده از میدان های الکتریکی برای ساختن سلول های انفرادی باشد.

حکاکی Anisotropic به وسیله KOH به آسانی می تواند کانال های V ( grooves ) شکل را ایجاد کند، یا گودال های ( Pits ) با دیواره های مخروطی شکل را داخل سیلیکون برش دهد.

شکل 2 – 32

KOH همچنین می توند برای ایجاد ساختارهای تپه ای شکل با شیب تند استفاده شود ( شکل a ). وقتی که تپه ها حکاکی شده و پی ریزی می شوند، گوشه ها می توانند به شکل اریب در بیایند. ( شکل b ). ماسک طراحی برای در برگرفتن ساختارهای اضافی در گوشه ها طراحی می شود. این ساختارهای جبران ساز آن چنان طراحی می شوند که وقتی که گوشه های 90 درجه تشکیل شدند، کاملاً حکاکی می شوند. یکی از مشکلات استفاده از ساختارهای جبران ساز برای تشکیل گوشه های راست زاویه این است که آنها محدودیتی روی کمترین فضای بین تپه ها ایجاد می کنند.

شکل 2 – 34

دیافراگم های سیلیکون از حدودm µ 50 به بالا به وسیله حکاکی ویفر کامل سیلیکون با KOH می تواند ساخته شود. ضخامت به وسیله زمان بندی حکاکی کنترل می شود و همین مسئله موضوعی برای خطاها می شود.

شکل 2 – 35

دیافرگم های نازک تر، در حدود ضخامت 20 µm می تواند با استفاده از بور برای متوقف کردن حکاکی KOH ساخته شود. ( شکل 2 – 36 ) ضخامت دیافراگم وابسته به عمق بور تزریق شده داخل سیلیکون می باشد، که می تواند خیلی دقیق تر از حکاکی KOH زمان بندی شده و کنترل شود.

( شکل 2 – 36 )

دیافراگم سیلیکون، ساختار پایه مورد استفاده در سنسورهای فشار میکرو مهندسی است. همچنین می تواند برای استفاده بعنوان یک سنسور شتاب وفق داده شود.

حکاکی وابسته به تلغیظ می تواند برای ایجاد پل های باریک یا میله های سگدست ( Cantilever beam )، استفاده شود. شکل a یک پل را نشان می دهد که به وسیله انتشار بور تشکیل شده است. میله سگدست ( یک پل با یک سر آزاد ) نیز به وسیله روش یکسانی ایجاد می شود. ( شکل b )

شکل 2 – 37

پل و میله شکل بالا در عرض قطر چاله برای اطمینان از این که آنها به وسیله KOH حکاکی می شوند، طرح ریزی شده اند. ساختارهای خیلی پیچیده تر نیز با این روش امکان پذیر است، امّا باید مواظب بود که آنها آزادنه به وسیله KOH حکاکی شوند.

اگر می خواستیم پل ها یا میله هایی با جهات مختلف بسازیم، ویفر می تواند از پشت در KOH حکاکی شود. ( شکل 2 – 38 ) در طی این چنین حکاکی هایی، باید اطمینان حاصل شود که جلوی ویفر کاملاً از حکاکی KOH مصون می ماند، راه حل دیگر تولید یک دیافراگم و حکاکی پل مورد نظر یا شکل میله مانند با استفاده از یک حکاکی کننده یون واکنش زا ( حکاکی خشک ) می باشد.

شکل 2 – 38

یکی از کاربردهای این میله ها و پل ها به عنوان سنسورهای تشدید می باشد. ساختار می تواند در فرکانس پایه اش به ارتعاش در آید. هر عاملی که باعث تغییری در جرم، طول و ... شود، به عنوان تغییری در فرکانس ثبت می شود. ترکیبی از حکاکی خشک و حکاکی تر Isotropic می تواند برای تشکیل نقاط خیلی تیز استفاده شود. ابتدا یک ستون با پهلوهای عمودی با استفاده از RIE ( شکل a ) تشکیل می شود. سپس با استفاده از حکاکی تر Mask حکاکی از زیر برش می خورد و یک نقطه خیلی دقیق را تشکیل می دهد. ( شکل b ) سپس Mask حکاکی نیز برداشته می شود.

شکل 2 – 29

از این ساختار در انتهای میله های سگدست به عنوان Probe در ذره بین اتمی می تواند استفاده شود.

2 – 14 – 2 در میکروماشینینگ سطحی

در میکرو ماشینینگ توده ای ساختارهای میکرونی به وسیله حکاکی توده ای از ویفر سیلیکون برای دستیابی به نتیجه دلخواه تشکیل می شوند. در میکروماشینینگ سطحی چندین لایه نازک روی ویفری یا هر زیر لایه مناسب دیگر قرار می گیرند. این لایه ها شامل یک ماده بنیادین مثل پلی سیلیکن و یک ماده قربانی ( Sacrifical ) مثل اکسید می باشند. این لایه ها به ترتیب لایه نشانی و حکاکی خشک می شوند. آخر سر ماده قربانی از طریق حکاکی تر حذف می شود. لایه های بیشتر و ساختارهای پیچیده تر باعث سخت شدن فرآیند ساخت می شود. یک میله سگدست میکرو ماشین شده سطحی ساده در شکل 2 – 40 نشان داده شده است. یک لایه قربانی از اکسید روی سطح ویفر لایه نشانی شده، سپس یک لایه پلی سیلیکن لایه نشانی شده و با استفاده از روش های RIE به یک میله با یک Anchor pad الگو دهی می شود. ( شکل a ). سپس به وسیله یک حکاکی تر لایه اکسید زیر میله برداشته می شود ( شکل b ). Anchor pad از زیر Pad برداشته شود، ویفر از حمام حکاکی بیرون می آید.

دانلود تحقیق حکاکی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 13

حکاکی لایه نازک SiO2

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6 و CH3F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si3N4 خوب نیست .

حکاکی لایه نازک Si3N4

حکاکی کننده تر در دمای H3PO4,140 – 200C می باشد. SiO2 حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است. حکاکی Anisotropic برای Si3N4 با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C2F6 و CH3F انجام می شود.

حکاکی قربانی ( sacrificial )

قابلیت انتخاب حکاکی sacrifical روی Si باید خیلی بالا باشد. مواد متداول مورد استفاده PSG و Photorestis , Polyimide ها می باشند. PSG با استفاده از Resist برداشته می شود.

Polyimide ها با استفاده از حکاکی پلاسما برداشته می شوند.

2 – 14 – ساختار پایه ( Basic structures )

2 – 14 – 1 – در میکرو ماشینینگ توده ای سیلیکون

یکی از ممکن ترین و بارزترین ساختارها الگودهی هادی های عایق شده الکتریکی است. یکی از کاربردهای آن می تواند استفاده از میدان های الکتریکی برای ساختن سلول های انفرادی باشد.

حکاکی Anisotropic به وسیله KOH به آسانی می تواند کانال های V ( grooves ) شکل را ایجاد کند، یا گودال های ( Pits ) با دیواره های مخروطی شکل را داخل سیلیکون برش دهد.

شکل 2 – 32

KOH همچنین می توند برای ایجاد ساختارهای تپه ای شکل با شیب تند استفاده شود ( شکل a ). وقتی که تپه ها حکاکی شده و پی ریزی می شوند، گوشه ها می توانند به شکل اریب در بیایند. ( شکل b ). ماسک طراحی برای در برگرفتن ساختارهای اضافی در گوشه ها طراحی می شود. این ساختارهای جبران ساز آن چنان طراحی می شوند که وقتی که گوشه های 90 درجه تشکیل شدند، کاملاً حکاکی می شوند. یکی از مشکلات استفاده از ساختارهای جبران ساز برای تشکیل گوشه های راست زاویه این است که آنها محدودیتی روی کمترین فضای بین تپه ها ایجاد می کنند.

شکل 2 – 34

دیافراگم های سیلیکون از حدودm µ 50 به بالا به وسیله حکاکی ویفر کامل سیلیکون با KOH می تواند ساخته شود. ضخامت به وسیله زمان بندی حکاکی کنترل می شود و همین مسئله موضوعی برای خطاها می شود.

شکل 2 – 35

دیافرگم های نازک تر، در حدود ضخامت 20 µm می تواند با استفاده از بور برای متوقف کردن حکاکی KOH ساخته شود. ( شکل 2 – 36 ) ضخامت دیافراگم وابسته به عمق بور تزریق شده داخل سیلیکون می باشد، که می تواند خیلی دقیق تر از حکاکی KOH زمان بندی شده و کنترل شود.

( شکل 2 – 36 )

دیافراگم سیلیکون، ساختار پایه مورد استفاده در سنسورهای فشار میکرو مهندسی است. همچنین می تواند برای استفاده بعنوان یک سنسور شتاب وفق داده شود.

حکاکی وابسته به تلغیظ می تواند برای ایجاد پل های باریک یا میله های سگدست ( Cantilever beam )، استفاده شود. شکل a یک پل را نشان می دهد که به وسیله انتشار بور تشکیل شده است. میله سگدست ( یک پل با یک سر آزاد ) نیز به وسیله روش یکسانی ایجاد می شود. ( شکل b )

شکل 2 – 37

پل و میله شکل بالا در عرض قطر چاله برای اطمینان از این که آنها به وسیله KOH حکاکی می شوند، طرح ریزی شده اند. ساختارهای خیلی پیچیده تر نیز با این روش امکان پذیر است، امّا باید مواظب بود که آنها آزادنه به وسیله KOH حکاکی شوند.

اگر می خواستیم پل ها یا میله هایی با جهات مختلف بسازیم، ویفر می تواند از پشت در KOH حکاکی شود. ( شکل 2 – 38 ) در طی این چنین حکاکی هایی، باید اطمینان حاصل شود که جلوی ویفر کاملاً از حکاکی KOH مصون می ماند، راه حل دیگر تولید یک دیافراگم و حکاکی پل مورد نظر یا شکل میله مانند با استفاده از یک حکاکی کننده یون واکنش زا ( حکاکی خشک ) می باشد.

شکل 2 – 38

یکی از کاربردهای این میله ها و پل ها به عنوان سنسورهای تشدید می باشد. ساختار می تواند در فرکانس پایه اش به ارتعاش در آید. هر عاملی که باعث تغییری در جرم، طول و ... شود، به عنوان تغییری در فرکانس ثبت می شود. ترکیبی از حکاکی خشک و حکاکی تر Isotropic می تواند برای تشکیل نقاط خیلی تیز استفاده شود. ابتدا یک ستون با پهلوهای عمودی با استفاده از RIE ( شکل a ) تشکیل می شود. سپس با استفاده از حکاکی تر Mask حکاکی از زیر برش می خورد و یک نقطه خیلی دقیق را تشکیل می دهد. ( شکل b ) سپس Mask حکاکی نیز برداشته می شود.

شکل 2 – 29

از این ساختار در انتهای میله های سگدست به عنوان Probe در ذره بین اتمی می تواند استفاده شود.

2 – 14 – 2 در میکروماشینینگ سطحی

در میکرو ماشینینگ توده ای ساختارهای میکرونی به وسیله حکاکی توده ای از ویفر سیلیکون برای دستیابی به نتیجه دلخواه تشکیل می شوند. در میکروماشینینگ سطحی چندین لایه نازک روی ویفری یا هر زیر لایه مناسب دیگر قرار می گیرند. این لایه ها شامل یک ماده بنیادین مثل پلی سیلیکن و یک ماده قربانی ( Sacrifical ) مثل اکسید می باشند. این لایه ها به ترتیب لایه نشانی و حکاکی خشک می شوند. آخر سر ماده قربانی از طریق حکاکی تر حذف می شود. لایه های بیشتر و ساختارهای پیچیده تر باعث سخت شدن فرآیند ساخت می شود. یک میله سگدست میکرو ماشین شده سطحی ساده در شکل 2 – 40 نشان داده شده است. یک لایه قربانی از اکسید روی سطح ویفر لایه نشانی شده، سپس یک لایه پلی سیلیکن لایه نشانی شده و با استفاده از روش های RIE به یک میله با یک Anchor pad الگو دهی می شود. ( شکل a ). سپس به وسیله یک حکاکی تر لایه اکسید زیر میله برداشته می شود ( شکل b ). Anchor pad از زیر Pad برداشته شود، ویفر از حمام حکاکی بیرون می آید.

لایه اوزون

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 10

مقدمه

لایه اوزون در قسمت شمالی زمین در سال 1980میلادی بین 15 تا20 درصد کاهش پیدا کرده است. برای رفع این مشکل جمعی از بهترین متخصصان زمین شناسی هر سال برای تحقیق و جستجو دور یکدیگر جمع می‌شوند. در سال 1992 پروکتیل مونترال درباره لایه اوزون مطالعه و تحقیقی داشت که فهمید بزرگ شدن سوراخ لایه اوزون بستگی به آلودگی هوا و تولید مواد سمّی دارد. در همان سال سازمان ملل متحد و حفاظت از محیط زیست برنامه‌ای را طرّاحی کرد که این برنامه جهت محافظت و حمایت از محیط زیست و مخصوصا لایه اوزون به نام برنامه UNEP طراحی کرد، که این برنامه جهت جلوگیری از تولید مواد سمّی و مواد شیمیایی آلوده کننده است.مولکولهای اکسیژن (O2) به اکسیژن اتمیک (O) تبدیل می‌شوند. اکسیژن اتمیک به سرعت با مو لکولهای بیشتری ترکیب شده و به شکل اوزون می‌شود. آن پوشش حرارتی که در سطح بالا رشد کرده و سلامتی لایه اوزون را به خطر انداخته است و این مورد باعث شده است که اگر استراتوسفر نباشد ما نتوانیم بدون آن زنده بمانیم.

لایه گم شدهمنطقه تیره در وسط این تصویرماهواره‌ای منطقه وسیعی از لایهبسیار نازک شده اوزن در بالایقطب جنوب را نشان می‌دهد.

بالای استراتوسفر مقداری از آلودگی مضّر اشعه فرا بنفش را و همچنین تشعشعاتی از خورشید (امواج بین 320 تا 240) را که باعث می‌شود لایه اوزون آسیب ببیند و همچنین جان گیاهان به خطر بیفتد را جذب می‌کند. اشعه فرا بنفش با تابیدن نور مولکولهای اوزون را می‌شکافد، ولی اوزون می‌تواند تغییر شکل بدهد و عکس العمل زیر از آن حاصل می‌شود:

O2 + O --------> O3 --------> O + O2

همچنین اوزون در اثر عکس العمل زیر نابود می‌شود:

O3 + O -------> O2 + O2

عکس العمل دوم با افزایش پیدا کردن ارتفاع آهسته انجام می‌شود امّا عکس العمل سوم سریعتر انجام می‌شود. در بین همکاری عکس العملها تمرکز اوزون در حال تعادل است. در بالای اتمسفر اکسیژن اتمیک هنگامی که اشعه فرا بنفش در سطح بالایی است، پیدا می‌شود. در اثر حرکت استراتوسفر هوای متراکمتری بدست می‌آید و جذب اشعه فرا بنفش افزایش می‌یابد و سطح اوزون به حد اکثر و تخمینا" km20 می‌رسد. همراه با تئوری کمپمن یک مشکل نیز وجود داشت که این مشکل در سال 1960 تشخیص داده شد وحقیقت این بود که اوزون به وسیله عکس العمل 4 آهسته حرکت می کرد و دیده نمی شود.گرم شدن زمین ترمیم حفره اوزون را به تعویق می اندازد دانشمندان هشدار داده اند :پدیده گرم شدن زمین می تواند تلاشها برای ترمیم حفره اوزون را که قرار بود تا سال 2050 انجام گیرد،حدود30سال به تعویق اندازد .این مو ضوع به رقم پیشرفتهایی است که با از رده خارج کردن مواد شیمیایی مخرّب اوزون انجام شده است. طبق گزارشی کاهش فراوانی در مصرف گازهای ساخته دست انسان بنام کلروفلورو کربن پدید آمده است. اینها گازهایی هستند که لایه محافظ زمین را می‌خورند.به گفته دانشمندان اگر کشورها مصمم به دنبال نمودن این روند باشند ، حفره داخل لایه اوزون به آغاز به جمع شدن و کوچک شدن خواهد نمود تا اینکه ظرف 50 سال ترمیم خواهد شد. این جمع بندی و نتیجه گیری توسط مجمع بررسی فرآیندهای استراتوسفر و نقش آن در آب و هوا SPARC به عمل آمد. این مجمع از صدها کارشناس اقلیمی که دسامبر سال 1999در آرژانتین گرد هم آمدند و در سایه توجهات سازمان هواشناسی جهانی تشکیل جلسه دادند، شکل گرفته است. این دانشمندان هشدار دادند: حتّی اگر کاهش مصرف گازهای CFC برآورده شود، پدیده گرم شدن زمین _که نتیجه تولید گازهای گلخانه‌ای با وجود کربن به عنوان عنصر اصلی آن است و از سوختهای سنگواره‌ای بدست می‌آید_ می‌تواند محلت ترمیم حفره اوزون را چند دهه به تعویق اندازد.به عنوان یک تناقض ، گرم شدن زمین ، جو را در نزدیکی سطح زمین حرارت می‌دهد اما لایه پایینی استراتوسفر یعنی جایی را که اوزون قرار دارد همچنان سرد نگه می‌دارد. این دماهای پایین بویژه درزمستان مسبب جمع شدن ابرهای استراتوسفر در نواحی قطبی می‌شود . این پدیده آغازگر واکنشهای نابود کننده اوزون توسط مولکولهای کلری است که توسط کلروفلورو کربنها آزاد می‌شوند. پیش بینیهای دایر بر اینکه حفره اوزون که بالای قطب جنوب قرار دارد، به زودی کوچک خواهد شد با آخرین اطلاعات مغایرت دارد که نشان می‌دهد این حفره در حال گسترش است و بطور بی‌سابقه‌ای در چند سال اخیر بزرگ شده است.

لایه اوزناشعه‌های خطرناک ماوراء بنفشتوسط لایه اوزن مسدود می‌شوند.اگر این لایه تخریب گردد ، مقدار

بیشتری از این اشعه‌هابه سطح زمین خواهد رسید.

تاریخچه سوراخ شدن لایه اوزون

ابتدا جریان تأسف بار سوراخ شدن لایه اوزون در لایه زیر استراتوسفر در بالای منطقه انتارکتیکا اولین بار در دهه هفتاد (1970 تا 1979) توسط یک گروه تحقیقاتی به نام BAS کشف شد. این گروه در مورد اتمسفر بالای منطقه انتارکتیکا از یک ایستگاه تحقیقاتی که بسیار شبیه این عکس می‌باشد مشاهده می‌گردند (اطلاعات ایستگاه تحقیقاتی هالی و ایستگاه تحقیقاتی BAS). فالکر اولین بار در حالی تحقیقات را انجام داد که اندازه گیری اولیه در سال 1985 برای اولین بار سوراخ شدن لایه اوزون آنچنان نگران کننده بود که دانشمندان تصور می‌کردند که دستگاهای اندازه گیری خراب است. آنها دستگاه‌های دیگری جانشین آن دستگاهها کردند تا آنکه نتایج بدست آمده اندازه گیریهای اولیه را تأیید کرد.چند ماه بعد که سوراخ شدن لایه اوزون قابل مشاهده بود (پس از مشاهده سوراخ شدن لایه اوزون تحقیقات قبلی تایید شد)، از طرف دیگر اطلاعات ماهواره TOMS سوراخ شدن لایه اوزون را نشان نمی‌داد، بدین دلیل که نرم افزارهایی که اطلاعاتی در مورد لایه اوزون می‌داند به صورتی برنامه ریزی شده بود که لا یه اوزون در منطقه کوچکی مورد بررسی قرار می‌گرفت. در بررسیهای بعدی اطلاعاتی بدست آمد (هنگامی که نتایج گروه BAS منتشر نشد) مورد تأیید قرار گرفت و بیانگر این مطلب بود که سوراخ شدن لایه اوزون بطور سریع و در مقیاس بزرگی بر بالای منطقه