تجهیزات پست (خطوط انتقال نیرو) (رشته برق ) 27 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 30

تجهیزات پست (خطوط انتقال و توزیع )

-تعریف پست:

پست محلی است که تجهیزات انتقال انرژی درآن نصب وتبدیل ولتاژانجام می شودوبا استفاده از کلید ها امکان انجام مانورفراهم می شوددرواقع کاراصلی پست مبدل ولتاژ یاعمل سویچینگ بوده که دربسیاریاز پستها ترکیب دو حالت فوق دیده می شود.

در خطوط انتقال DC چون تلفات ناشی از افت ولتاژ ندارد وتلفات توانانتقالی بسیار پایین بوده ودر پایداری شبکه قدرت نقش مهمّی دارند لذااخیرا ُ این پستها مورد توجه قراردارند ازاین پستها بیشتردر ولتاژهایبالا (800 کیلو ولت وبالاتر) و در خطوط  طولانی به علت پایین  بودنتلفات انتقال استفاده می شود.

درشبکهای انتقال DC درصورت استفاده ازنول زمین می توان انرژیالکتریکی دا توسط یک سیم به مصرف کننده انتقال داد.

انواع پست:

پستها را می توان ازنظر نوع  وظیفه,هدف,محل نصب,نوع عایقی, به انواع مختلفی تقسیم کرد.

  براساس نوع وظیفه وهدف ساخت:

پستهای افزاینده , پستهای انتقال انرژی , پستهای سویچینگ و کاهنده فوق توزیع .-  براساس نوع عایقی:

پستها با عایق هوا, پستها با عایق گازی( که دارای مزایای زیراست):پایین بودن مرکز ثقل تجهیزات در نتیجه مقاوم بودن در مقابله زلزله,کاهش حجم, ضریب ایمنی بسیار بالا باتوجه به اینکه همهً قسمت های برق دار و کنتاکت ها در محفظهً گازSF6   امکان آتش سوزی ندارد, پایین بودن هزینهً نگهداری باتوجه به نیاز تعمیرات کم تر, استفاده د رمناطق بسیار آلوده و مرطوب و مرتفع .

معایب پستها با عایق گازی :

گرانی سیستم و گرانی گاز SF6 , نیاز به تخصص خاص برای نصب و تعمیرات,مشکلات حمل و نقل وآب بندی سیستم.

بر اساس نوع محل نصب تجهیزات :

نصب تجهیزات در فضای باز , نصب تجهیزات در فضای سرپوشیده .معمولاُ پستها را از 33 کیلو ولت به بالا به صورت فضای باز ساخته وپستهای عایق گازی راچون فضای کمی دارندسرپوشیده خواهند ساخت.

 اجزاع تشکیل دهنده پست :

پستهای فشار قوی از تجهیزات و قسمتهای زیر تشکیل می شود :

  ترانس قدرت , ترانس زمین و مصرف داخلی , سویچگر ,

  جبران کنندهای تون راکتیو , تاً سیسات جانبی الکتریکی  ,  ساختمان کنترل , سایر تاًسیسات ساختمانی .

ـ ترانس زمین:

از این ترانس در جاهایی که نقطهً اتصال زمین (نوترال) در دسترسنمی باشد که برای ایجاد نقطهً نوترال از ترانس زمین استفاده می شود .

نوع اتصال در این ترانس به صورت زیکزاک Zn  است .

این ترانس دارای سه سیم پیچ می باشد که سیم پیچ هر فاز به دو قسمتمساوی تقسیم می شود و انتهای نصف سیم پیچ ستون اوٌل با نصف سیم پیچ ستون دوٌم در جهت عکس سری می باشد . 

ـ ترانس مصرف داخلی:

از ترانس مصرف داخلی  برای  تغذیه  مصارف داخلی  پست استفاده می شود .

تغذیه ترانس مصرف داخلی شامل قسمتهای زیر است :

تغذیه موتورپمپ  تپ چنجر , تغذیه بریکرهای Kv20  , تغذیه فن و سیستم خنک کننده , شارژ باتری ها , مصارف روشنایی , تهویه ها .

نوع اتصال سیم پیچ ها به صورت مثلث – ستاره با ویکتورکروپ (نوع اتصال بندی( DYn11   می باشد .

ـ سویچگر:

تشکیل شده از مجموعه ای از تجهیزات که  فیدرهای مختلف  را به باسبار و یا باسبار ها را در نقاط  مختلف به یکدیگر با ولتاژ معینی ارتباط می دهند .

در پستهای مبدل ولتاژ ممکن است از دو یا سه سویچگر با ولتاژهای مختلف استفاده شود .

ـ تجهیزات سویچگر:

باسبار:

 که خود تشکیل شده از مقره ها , کلمپها , اتصالات وهادیهای باسبار که به شکل سیم یا لولهًً توخالی و غیره است .

تیریستور

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 30

1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند بود.

جریان ناشی از :

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال

3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه می یابند اتصال را قطع می کند .

4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

(الف) مدلهای دیودی تیریستور

تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته اند . اگر دریچه بایاس نشود ولی به دو سر آند و کاتد ولتاژ بایاسی اعمال شود این ولتاژ هر قطبیتی که داشته باشد همواره حداقل یک اتصال معکوس بایاس شده ، وجود خواهد داشت تا از هدایت تیریستور جلوگیری کند .

اگر کاتد توسط ولتاژ منبع تغذیه (نسبت به آند ) منفی شود و دریچه نسبت به کاتد به طور مثبت بایاس شود لایه p دریچه توسط کاتد از الکترون لبریز می شود و خاصیت خودش را به عنوان لایه p از دست می دهد . در نتیجه تیریستور به دیود هدایتی معادلی تبدیل می شود .

(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور

پولک p-n-p-n را می توان به صورت دو ترانزیستور با دو ناحیه پایه در نظر گرفت . کلکتور ترانزیستور n-p-n ، جریان محرکی برای پایه ترانزیستور p-n-p که جریان کلکتورش اضافه جریان دریچه به مثابه جریان محرک پایه ترانزیستور n-p-n است ، مهیا کند .

برای روشن کردن تریستور جریان دریچه به جزء خیلی حساس ترانزیستور n-p-n از اتصال p-n-p-n اعمال می شود . اولین ده درصد افزایش جریان آند ، در اصل جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n است . پایه n ترانزیستور p-n-p توسط جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n باردار می شود . در نتیجه فیدبک مثبتی توسط جریان کلکتور ترانزیستور p-n-p به منظور افزایش بارهای ایجاد شده در پایه p ترانزیستور n-p-n دایر می شود . به این ترتیب جریان تیریستور شروع به افزایش می کند ، به سرعت به مقدار اشباع می رسد و جریان تیریستور فقط توسط امپدانس بار محدود می شود .

بهتر است به منظور تشریح مشخصه و خواص تیریستور حالتهای مختلف آن را (از نظر بایاس ) مورد بررسی قرار دهیم .

1-2-مشخصات تیریستور

برای اینکه بتوان وسیله های الکترونیکی را با کیفیت کافی مورد استفاده قرار داد و از آنها محافظت کرد بایستی مشخصات و خواص آنها کاملا معلوم شوند . مشخصات تیریستور را می توان با ملاحظه سه حالت مختلف اصلی این وسیله تعیین کرد :

شرایط بایاس معکوس

بایاس مستقیم و مسدود

بایاس مستقیم و هدایت

1-2-1-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)

در این حالت اتصالات اول و سوم به طور معکوس اتصال دوم به طور مستقیم بایاس می شوند و درست مثل یک اتصال p-n مقدار کمی جریان نشتی از کاتد به آند عبور خواهد کرد .

اعمال ولتاژ محرک مثبتی به دریچه تیریستور در حالی که آند هنوز منفی است سبب می شود که تیریستور رفتاری شبیه ترانزیستور داشته باشد و جریان معکوس نشتی آند تا مقدار قابل ملاحظه مقایسه ای با جریان دریچه افزایش یابد ، از این رهگذر اتلاف قدرت قابل ملاحظه ای در تیریستور وقوع خواهد یافت . زیاد گرم شدن اتصال می تواند سبب افسار گسیختگی حرارتی شود .

جریان آند با جریان اشباع معکوس اتصال اول به اضافه کسری از

جریان دریچه برابر است . جریان اشباع بستگی به درجه حرارت دارد . بنابراین بالا رفتن درجه حرارت اتصال باعث افزایش جریان اشباع می شود که آن نیز موجب گرم شدن بیشتر اتصال می شود . ولتاژ بیشینه دریچه در شرایط بایاس معکوس غالباً توسط سازندگان برای محدود کردن اثر حرارت معین می شود .

افزایش ولتاژ بایاس معکوس باعث پهن شدن لایه های تهی اتصالات اول و سوم می شود . اتصال اول معمولاً بخش اعظم ولتاژ آند به کاتد را

تیریستور 22 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 22

1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند بود.

جریان ناشی از :

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال

3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه می یابند اتصال را قطع می کند .

4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

(الف) مدلهای دیودی تیریستور

تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته اند . اگر دریچه بایاس نشود ولی به دو سر آند و کاتد ولتاژ بایاسی اعمال شود این ولتاژ هر قطبیتی که داشته باشد همواره حداقل یک اتصال معکوس بایاس شده ، وجود خواهد داشت تا از هدایت تیریستور جلوگیری کند .

اگر کاتد توسط ولتاژ منبع تغذیه (نسبت به آند ) منفی شود و دریچه نسبت به کاتد به طور مثبت بایاس شود لایه p دریچه توسط کاتد از الکترون لبریز می شود و خاصیت خودش را به عنوان لایه p از دست می دهد . در نتیجه تیریستور به دیود هدایتی معادلی تبدیل می شود .

(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور

پولک p-n-p-n را می توان به صورت دو ترانزیستور با دو ناحیه پایه در نظر گرفت . کلکتور ترانزیستور n-p-n ، جریان محرکی برای پایه ترانزیستور p-n-p که جریان کلکتورش اضافه جریان دریچه به مثابه جریان محرک پایه ترانزیستور n-p-n است ، مهیا کند .

برای روشن کردن تریستور جریان دریچه به جزء خیلی حساس ترانزیستور n-p-n از اتصال p-n-p-n اعمال می شود . اولین ده درصد افزایش جریان آند ، در اصل جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n است . پایه n ترانزیستور p-n-p توسط جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n باردار می شود . در نتیجه فیدبک مثبتی توسط جریان کلکتور ترانزیستور p-n-p به منظور افزایش بارهای ایجاد شده در پایه p ترانزیستور n-p-n دایر می شود . به این ترتیب جریان تیریستور شروع به افزایش می کند ، به سرعت به مقدار اشباع می رسد و جریان تیریستور فقط توسط امپدانس بار محدود می شود .

بهتر است به منظور تشریح مشخصه و خواص تیریستور حالتهای مختلف آن را (از نظر بایاس ) مورد بررسی قرار دهیم .

1-2-مشخصات تیریستور

برای اینکه بتوان وسیله های الکترونیکی را با کیفیت کافی مورد استفاده قرار داد و از آنها محافظت کرد بایستی مشخصات و خواص آنها کاملا معلوم شوند . مشخصات تیریستور را می توان با ملاحظه سه حالت مختلف اصلی این وسیله تعیین کرد :

شرایط بایاس معکوس

بایاس مستقیم و مسدود

بایاس مستقیم و هدایت

1-2-1-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)

در این حالت اتصالات اول و سوم به طور معکوس اتصال دوم به طور مستقیم بایاس می شوند و درست مثل یک اتصال p-n مقدار کمی جریان نشتی از کاتد به آند عبور خواهد کرد .

اعمال ولتاژ محرک مثبتی به دریچه تیریستور در حالی که آند هنوز منفی است سبب می شود که تیریستور رفتاری شبیه ترانزیستور داشته باشد و جریان معکوس نشتی آند تا مقدار قابل ملاحظه مقایسه ای با جریان دریچه افزایش یابد ، از این رهگذر اتلاف قدرت قابل ملاحظه ای در تیریستور وقوع خواهد یافت . زیاد گرم شدن اتصال می تواند سبب افسار گسیختگی حرارتی شود .

جریان آند با جریان اشباع معکوس اتصال اول به اضافه کسری از

جریان دریچه برابر است . جریان اشباع بستگی به درجه حرارت دارد . بنابراین بالا رفتن درجه حرارت اتصال باعث افزایش جریان اشباع می شود که آن نیز موجب گرم شدن بیشتر اتصال می شود . ولتاژ بیشینه دریچه در شرایط بایاس معکوس غالباً توسط سازندگان برای محدود کردن اثر حرارت معین می شود .

افزایش ولتاژ بایاس معکوس باعث پهن شدن لایه های تهی اتصالات اول و سوم می شود . اتصال اول معمولاً بخش اعظم ولتاژ آند به کاتد را مسدود می کند ، لذا منطقه تهی این اتصال غالباً پهن است . به خاطر اینکه ولتاژ مسیر سوراخ کنی توسط تماس لایه های تهی اتصالات و به وجود نیاید لایه n وسطی را کمی پهن می سازند .

1-3-2-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به کاتد مثبت)

اتصالات اول و سوم بایاس مستقیم و اتصال دوم بایاس معکوس می شود . جریان آند در خلال مدتی که یک اتصال p-n بایاس معکوس وجود دارد ، خیلی کم است و مقدارش برابر با جریان اشباع اتصال دوم به اضافه قسمتی از جریان دریچه است . جریان دریچه در طول این شیوه عمل با این که خودش بایستی کوچک باشد جریان آند را افزایش می دهد .

1-2-3-تیریستور بایاس مستقیم و هدایت

چهار روش برای روشن کردن تیریستور وجود دارد و به محض اینکه هدایت شروع شد امپدانس صفر در مسیر عبور جریان از خود نشان می دهد . همان طوری که از مشخصه کلی ولتاژ جریان یک تریستور ، در طول زمانی که تریستور هدایت می کند افت ولتاژ بین آند و کاتد در حدود 1 تا 5/1 ولت است و اصولاً مستقل از جریان آند است . چهار روش راه اندازی تیریستور وجود دارد : 1) فعال سازی نوری 2) علائم الکتریکی 3)ولتاژ بایاس مستقیم با دامنه زیاد و 4)ولتاژ بایاس مستقیم با میزان صعود سریع وجود دارد . روش دوم ، یعنی راه اندازی توسط علائم الکتریکی مهمترین و معمول ترین روش است ، در حالی که آخرین روش به علت طبیعت مزاحمی که دارد قابل اجتناب است .

(الف) روشن کردن توسط نور

یک شعاع نوری که از دریچه به سوی اتصال کاتد ، جهت داده

تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p n p n ) 50 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 50

1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند بود.

جریان ناشی از :

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال

3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه می یابند اتصال را قطع می کند .

4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

(الف) مدلهای دیودی تیریستور

تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته

اصطکاک 10 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 22

« اصطحکاک »

برداشت:

اصطحکاک نیرویی است که هنگامی که سطح جسمی بر سطح دیگر تماس پیدا کرد در مقابل حرکت مقاومت و ایستادگی می کند. در یک وسیله نقلیه ، اصطحکاک مزیت های مکانیکی را کاهش می دهد ، یا نسبت تولید انرژی به مصرف انرژی یک اتومبیل به طور مثال ، از انرژی خود را در کاهش اصطحکاک مصرف می کند. هنوز اصطحکاک در تایرها است که به اتومبیل اجازه می‌دهد که در جاده بماند و اصطحکاک در کلاج امکان رانندگی کردن را در هر شرایطی بوجود می آورد در مسابقات اتومبیل رانی ساختار مولکولی ، اصطحکاک یکی از مهمترین پدیده ها در جهان فیزیکی است.

« چگونه اتومبیل به کار می افتد؟»

تعریفی از اصطحکاک بعنوان نیرویی که هنگامی سطحی از جسمی بر سطح جسم دیگر مماس می‌شود در مقابل حرکت مقاومت می کند دقیقاً نمی دانند که آن چیست؟ ترجیحاً، اظهاراتی که نشان دهنده اصطحکاک در اصطلاح چگونگی عکس العمل اجسام را شرح می دهند یک متن بی‌مایه و بدون مغز، مفهومی از الکتریسیته بیان می شود ، مانند: نیرویی که ابزارات الکتریکی را به حرکت درمی آورد. علت اینکه چرا اصطحکاک نمی تواند بیشتر به طور قاطع شناخته شود ، خیلی ساده است چون فیزیکدانان کاملاً اطلاع ندارند که آن چیست؟ ترجیحاً و اظهاراتی نشان دهنده اصطحکاک در شرایطی از چگونگی عکس العمل اجسام را نشان می دهد. یک متن بی‌مایه از یک تعریف الکترسیته بیان شد و مانند: « نیرویی که ابزارات الکتریکی را به حرکت در می آورد » علت اینکه چرا اصطحکاک نمی تواند بیشتر به طور قاطع شناخته شود ساده است: فیزیکدانان کاملاً اطلاع ندارند که آن چیست؟

قانون حرکتی از اسحاق نیوتن ( 1727 ـ 1642 ) به عنوان محصولی از افزایش شتاب جرمی تعیین شد حقیقت این است که نیرویی بسیار اساسی است که آن با تغییرات درست مقابله می کند. بجز در عناصری که آن را تشکیل می دهد و با نیرو مقایسه می شود. اصطحکاک نسبتاً به آسانی شناخته می شود.

در حقیقت اصطحکاک قسمتی از کل نیرو عمل می کند که بیشتر در مقابل حرکت و جنبش که در موقعیتهای زیادی رخ می دهد مخالفت می کند. بنابراین ، جاذبه نیز اینگونه عمل می کند ، جاذبه برخلاف نیروی خودش ، خیلی آسانتر توضیح داده می شود. جاذبه نقش مهمی در اصطحکاک دارد ، که آن اثری منفی دارد و نیازمند بررسی است. اولین قانون نیوتن اینرسی را بیان می کند و گرانیتی اجسام در جهان فیزیکی که گاهگاهی به جای اصطحکاک اشتباه گرفته می شود. هنگامی که یک جسم در حال حرکت یا در حالت سکون است از حالتهای قانون اول است و جسم در آن حالت در کمترین سرعت ثابت که آن برای یک جسم ساکن صفر است باقی خواهد ماند یا تا یک نیروی خارجی روی آن عمل می کند این گرایش به باقی ماندن در یک حالت معین از حرکت اینرسی است. اینرسی یک نیرو نیست ابر برخلاف آنچه گفته شد و یک مقدار خیلی کمی از نیرو ممکن است حرکت یک جسم را شتاب دهد بنابراین غلبه بر اینرسی اش می کند. بنابراین اینرسی یک بخش از نیرو است و هنگامیکه جرم یک مقیاس از اینرسی است. در صورتی نیروی جاذبه ، جرم ضرب می شود توسط شتاب به دلیل جاذبه در جرم افزوده می شود. آن برابر است با 32 فوت 2ثانیه . مردم هر روز از زندگی با اصطحکاک است ، در سه قانون حاکم در اصطحکاک میان یک جسم ساکن و سطحی که با آن در تماس است قرار می گیرد ، بر طبق اولین قانون و اصطحکاک متناسب با وزن جسم است دومین قانون بیان می کند که اصطحکاک بوسیله سطح ناحیه ای از جسم ، تخمین زده نمی شود تنها در آن قسمتی که مماس می شود بر سطح جسمی که در حال سکون است. در حقیقت ناحیه تماس میان جسم و سطح یک متغیر وابسته و یک نقشی از وزن است.

دومین قانون ممکن است به نظر واضح برسد و اگر آن قصد داشته باشد از یک جسم نسبتاً کشسان صحبت کند. یک جعبه آشغال که با گذاشتن روزنامه ها پر شده است روی یک کف بتونی در ته گاراژ گذاشته شده است به واضح است اگر روزنامه های بیشتری به آن اضافه گردد وزن آن افزایش می یابد سطح ناحیه اش به همان خوبی افزایش می یابد امَا چه می شد اگر یکی بودند یک جعبه مقوایی بزرگ از نوع جعبه های کارتونی که تلویزیون ها و کامپیوترها را با آن حمل می کنند. تا یک بلوک بتونی معمولی از نوع بکار برده در مصالحی برای احداث ساختمان مسکونی مقایسه می شوند؟ ظاهراً بلوک اصطحکاک بیشتری در مقابل کف بتونی دارد امّا در یک موقعیت یکسان واضح است که برخلاف وزن زیادش بلوک سطح ناحیه کمتری از جعبه مقوایی دارد چگونه می تواند این طور باشد؟

جواب این است که ناحیه سطحی صد در صد کاملاً بیشتر از آنچه که با چشمانمان می بینیم است اصطحکاک در یک سطح ناپیدا با چشمان غیر مسطح رخ می دهد و شامل نیروهای چسبنده میان مولکولهایی که روی سطح هایی که روی یکدیگر بوسیله نیروی وزن تحت فشار قرار می گیرند . این است شبیه به رفتار در آنچه هنگامی که از طریق یک لنز بسیارقوی بررسی و دیده می شود و 2 تکه مکمل از ولکرو به عنوان یک جنگل از قلابها روی یک طرف آشکار می شود و موج‌های دریا در یک طرف دیگر.

روی یک سطح شیب دار که از ساختار مولکولی تشکیل شده است ، سطحهای اجسام مانند کوه‌ها و دره‌ها ظاهر می شود هیچ چیزی و در حقیقت صاف و هموار نیست هنگامیکه روی این مقیاسی بررسی می شود و بعد از یک منظر مولکولی ، آن واضح و آشکار می شود که دو جسمی که در تماس واقعاً یکدیگر را فقط در مکانهایی لمس می کنند. یک افزایش وزن ، بنابراین ، از فشردن اجسام به یکدیگر آغاز می شود علت یک افزایش وزن در واقع تماس ناحیه مولکولی با یکدیگر است. از این به بعد ناحیه ای از تماس متناسب با وزن است. فقط یک به عنوان دومین قانون درباره اصطحکاک بیان می کند که ناحیه سطح تماس اصطحکاک را تعیین نمی کند (امّا بیشتر و وزن ناحیه سطح مماس مشخص می شود سومین قانون گرفته می شود که اصطحکاک مستقل از سرعتی است که یک جسم در طول یک سطح حرکت کرده‌ و فراهم می آورد که سرعت صفر نیست.

دلیلی برای این آماده سازی است که یک جسم با هیچ سرعتی که است یک هنوز کاملاً ایستاده موضوعی که اغلب فرم قوی از اصطحکاک ، اصطحکاک ساکن است آخری است اصطحکاکی که یک جسم ساکن باید در حرکت بودن جسم غلبه کند بنابراین ، این نباید با اینرسی اشتباه گرفته