تحقیق در مورد خودرو

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 26

نسبت درآمدهای مالیاتی به هزینه های جاری کشور، قابل قبول نیست.

وزیر امور اقتصادی و دارایی گفت: منظور از افزایش درآمدهای مالیاتی که مدنظر دولت قرار دارد، افزایش نرخ مالیات نیست تا فشار روی مردم زیادشود.

وزیر امور اقتصادی و دارایی گفت: منظور از افزایش درآمدهای مالیاتی که مدنظر دولت قرار دارد، افزایش نرخ مالیات نیست تا فشار روی مردم زیادشود. دکتر داود دانش جعفری ،شنبه در پنجمین اجلاس سراسری مدیران امور مالیاتی کشور در شیراز،افزود: هدف‌این است که‌بااستفاده از سیستم‌های مالیاتی و افزایش درآمدهای مالیاتی، رونق ایجاد شود.

وی‌اضافه‌کرد:دادن بیشترفعالیت هابه‌بخش خصوصی موجب افزایش میزان درآمدهای مالیاتی نیز می‌شود زیرا هدف این نیست که با افزایش نرخ مالیات ، درآمدهای مالیاتی را افزایش دهیم.

دانش جعفری گفت:بسیاری فعالیت‌های اقتصادی انجام می‌گیردامامشمول مالیات نمی‌شود و اینگونه نیز استدلال صورت می‌گیرد که‌این اقدامات از این جیب به آن جیب می‌شود و از معافیت‌های مالیاتی کمک می‌گیرند، درصورتی که‌اگر دامنه این فعالیت‌ها به مردم و بخش خصوصی داده شود، آنان بهترین کسانی هستند که دولت توانسته بموقع از آنان مالیات بگیرد.

وی کاهش فرارهای مالیاتی را از دیگر اهداف دولت برشمردوگفت: روی روش‌های اخذ مالیات به‌ویژه بر جنبه‌های فرهنگی آن باید حساسیت وجود داشته باشد.

دانش جعفری گفت:امروزاصل مالیات بر ارزش افزوده که در بیش از یکصد کشور اجرا می‌شودکه‌از مالیات‌های بدون اشک است و بدون اینکه پرداخت‌کننده احساس کند، مالیات اخذ می‌شود.

وی اضافه کرد: البته همه کشورها که مالیات بر ارزش افزوده اجرا می‌کنند توجه داشته‌اند که سبد کالاهای مصرف اقشار ضعیف و برخی کالاهای اساسی نباید مشمول مالیات شود.

وزیر امور اقتصادی و دارایی درادامه با اشاره به طرح جامع‌مالیاتی، گفت:

این طرح بابهره‌گیری ازفناوری‌های نوین،رضایتمندی مودیان،درآمدهای مالیاتی و نیز هزینه‌های اخذ مالیات را کاهش می‌دهد.

به گفته وی، اگر هزینه اخذ مالیات بیشتر از درآمد مالیاتی باشد، کارآیی حاصل نمی‌شود البته‌ممکن‌است جاهایی به‌دلیل وظیفه حاکمیتی مانند کار مستغلات، این اتفاق بیفتد اما هزینه‌های اخذ مالیات باید کم باشد. وی با بیان اینکه موضوع سیستم‌های مالیاتی تنها برای افزایش درآمدهای دولت نیست، گفت: مالیات سیاست‌های اقتصادی را نیز متعادل می‌کند به طوری که در زمینه تعدیل و توزیع ثروت در اقشار مختلف نیز کارکرد دارد. وزیر اقتصاد در ادامه‌از سیستم‌های مالیاتی به عنوان موتور محرکه توسعه مناطق محروم یاد کرد و گفت: بر اساس مکانیزم ماده ‪ ۱۳۱‬قانون مالیاتی و معافیت معالیتی سرمایه‌گذاران در مناطق محروم، ابزار خوبی برای توسعه در این مناطق ایجاد شده است.

به گفته وی،سیستم‌های مالیاتی از برخی بورس بازی‌ها نیز جلوگیری می‌کند، گفت: سیستم‌های مالیاتی سرمایه‌گذاری ها را در جایی که باید سوق می‌دهد. دانش جعفری اقدام سازمان امور مالیاتی در افزایش درآمدهای مالیاتی را خوب توصیف کرد وگفت: امسال برای نخستین بار بیش از آنچه در قانون مقرر شده بود،درآمدهای مالیاتی محقق شد درحالی که سال گذشته هنگام تصویب قانون در مجلس، استنباط این بود که محقق نمی‌شود، اما الان با رقم هشت دوازدهم توانستیم این درآمدها را تامین کنیم.

به‌گفته‌وی، نسبت درآمدهای مالیاتی و هزینه‌های جاری کشور سال گذشته ‪۳۶/۵‬ درصدبود که فقط به هزینه‌های جاری تعلق گرفت و این رقم، جایگاه‌خوبی نیست و باید ارتقا یابد.

وی افزود: اصل ‪ ۴۴‬قانون اساسی و واگذاری امور به بخش خصوصی در افزایش میزان درآمدهای مالیاتی کمک می‌کند

جذب سرمایه گذاری و تأمین مالی صنعت نفت

در راستای سیاست های اجرایی اصل 44قانون اساسی

علی کاردر - رییس ستاد اصل 44 قانون اساسی در شرکت ملی نفت ایران

ابتدا از مسؤولان و دست اندرکاران این سمینار تشکر می کنم که این فرصت را در اختیار من قرار دادند تا از زاویه ای دیگر مسائل سرمایه گذاری در صنعت نفت را بیان کنم . ابلاغیه مقام معظم رهبری در مورد اصل 44 قانون اساسی، به تعبیری فصل الخطاب تمام مباحث نظری، علمی، سیاسی و اقتصادی را تنظیم کردند. این ابلاغیه باعث شد که ما در فضای بعدی کارهای اجرایی وتصمیم گیری ها، در راستای آن بیانیه و آن ابلاغیه حرکت کنیم.

البته جای تشکر دارد که برگزارکنندگان این کنفرانس در بخش خصوصی فعالیت می کنند. لااقل این بار بخش دولتی متولی این کار نیست. این واقعه، شروع بسیار خوبی است.

مطالب خودم را دردو بخش عرضه می کنم. در بخش اول نگاهی گذرا و بیشتر نگاهی کلان به این خواهم داشت که چه الزاماتی مجبورمان می کند که بخش

دانلود پروژه تیریستور (word)

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 27

1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند بود.

جریان ناشی از :

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال

3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه می یابند اتصال را قطع می کند .

4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

(الف) مدلهای دیودی تیریستور

تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته اند . اگر دریچه بایاس نشود ولی به دو سر آند و کاتد ولتاژ بایاسی اعمال شود این ولتاژ هر قطبیتی که داشته باشد همواره حداقل یک اتصال معکوس بایاس شده ، وجود خواهد داشت تا از هدایت تیریستور جلوگیری کند .

اگر کاتد توسط ولتاژ منبع تغذیه (نسبت به آند ) منفی شود و دریچه نسبت به کاتد به طور مثبت بایاس شود لایه p دریچه توسط کاتد از الکترون لبریز می شود و خاصیت خودش را به عنوان لایه p از دست می دهد . در نتیجه تیریستور به دیود هدایتی معادلی تبدیل می شود .

(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور

پولک p-n-p-n را می توان به صورت دو ترانزیستور با دو ناحیه پایه در نظر گرفت . کلکتور ترانزیستور n-p-n ، جریان محرکی برای پایه ترانزیستور p-n-p که جریان کلکتورش اضافه جریان دریچه به مثابه جریان محرک پایه ترانزیستور n-p-n است ، مهیا کند .

برای روشن کردن تریستور جریان دریچه به جزء خیلی حساس ترانزیستور n-p-n از اتصال p-n-p-n اعمال می شود . اولین ده درصد افزایش جریان آند ، در اصل جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n است . پایه n ترانزیستور p-n-p توسط جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n باردار می شود . در نتیجه فیدبک مثبتی توسط جریان کلکتور ترانزیستور p-n-p به منظور افزایش بارهای ایجاد شده در پایه p ترانزیستور n-p-n دایر می شود . به این ترتیب جریان تیریستور شروع به افزایش می کند ، به سرعت به مقدار اشباع می رسد و جریان تیریستور فقط توسط امپدانس بار محدود می شود .

بهتر است به منظور تشریح مشخصه و خواص تیریستور حالتهای مختلف آن را (از نظر بایاس ) مورد بررسی قرار دهیم .

1-2-مشخصات تیریستور

برای اینکه بتوان وسیله های الکترونیکی را با کیفیت کافی مورد استفاده قرار داد و از آنها محافظت کرد بایستی مشخصات و خواص آنها کاملا معلوم شوند . مشخصات تیریستور را می توان با ملاحظه سه حالت مختلف اصلی این وسیله تعیین کرد :

شرایط بایاس معکوس

بایاس مستقیم و مسدود

بایاس مستقیم و هدایت

1-2-1-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)

در این حالت اتصالات اول و سوم به طور معکوس اتصال دوم به طور مستقیم بایاس می شوند و درست مثل یک اتصال p-n مقدار کمی جریان نشتی از کاتد به آند عبور خواهد کرد .

اعمال ولتاژ محرک مثبتی به دریچه تیریستور در حالی که آند هنوز منفی است سبب می شود که تیریستور رفتاری شبیه ترانزیستور داشته باشد و جریان معکوس نشتی آند تا مقدار قابل ملاحظه مقایسه ای با جریان دریچه افزایش یابد ، از این رهگذر اتلاف قدرت قابل ملاحظه ای در تیریستور وقوع خواهد یافت . زیاد گرم شدن اتصال می تواند سبب افسار گسیختگی حرارتی شود .

جریان آند با جریان اشباع معکوس اتصال اول به اضافه کسری از

جریان دریچه برابر است . جریان اشباع بستگی به درجه حرارت دارد . بنابراین بالا رفتن درجه حرارت اتصال باعث افزایش جریان اشباع می شود که آن نیز موجب گرم شدن بیشتر اتصال می شود . ولتاژ بیشینه دریچه در شرایط بایاس معکوس غالباً توسط سازندگان برای محدود کردن اثر حرارت معین می شود .

افزایش ولتاژ بایاس معکوس باعث پهن شدن لایه های تهی اتصالات اول و سوم می شود . اتصال اول معمولاً بخش اعظم ولتاژ آند به کاتد را مسدود می کند ، لذا منطقه تهی این اتصال غالباً پهن است . به خاطر اینکه ولتاژ مسیر سوراخ کنی توسط تماس لایه های تهی اتصالات و به وجود نیاید لایه n وسطی را کمی پهن می سازند .

1-3-2-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به کاتد مثبت)

اتصالات اول و سوم بایاس مستقیم و اتصال دوم بایاس معکوس می شود . جریان آند در خلال مدتی که یک اتصال p-n بایاس معکوس وجود دارد ، خیلی کم است و مقدارش برابر با جریان اشباع اتصال دوم به اضافه

دانلود پروژه تیریستور (word)

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 27

1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند بود.

جریان ناشی از :

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال

3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه می یابند اتصال را قطع می کند .

4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

(الف) مدلهای دیودی تیریستور

تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته اند . اگر دریچه بایاس نشود ولی به دو سر آند و کاتد ولتاژ بایاسی اعمال شود این ولتاژ هر قطبیتی که داشته باشد همواره حداقل یک اتصال معکوس بایاس شده ، وجود خواهد داشت تا از هدایت تیریستور جلوگیری کند .

اگر کاتد توسط ولتاژ منبع تغذیه (نسبت به آند ) منفی شود و دریچه نسبت به کاتد به طور مثبت بایاس شود لایه p دریچه توسط کاتد از الکترون لبریز می شود و خاصیت خودش را به عنوان لایه p از دست می دهد . در نتیجه تیریستور به دیود هدایتی معادلی تبدیل می شود .

(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور

پولک p-n-p-n را می توان به صورت دو ترانزیستور با دو ناحیه پایه در نظر گرفت . کلکتور ترانزیستور n-p-n ، جریان محرکی برای پایه ترانزیستور p-n-p که جریان کلکتورش اضافه جریان دریچه به مثابه جریان محرک پایه ترانزیستور n-p-n است ، مهیا کند .

برای روشن کردن تریستور جریان دریچه به جزء خیلی حساس ترانزیستور n-p-n از اتصال p-n-p-n اعمال می شود . اولین ده درصد افزایش جریان آند ، در اصل جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n است . پایه n ترانزیستور p-n-p توسط جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n باردار می شود . در نتیجه فیدبک مثبتی توسط جریان کلکتور ترانزیستور p-n-p به منظور افزایش بارهای ایجاد شده در پایه p ترانزیستور n-p-n دایر می شود . به این ترتیب جریان تیریستور شروع به افزایش می کند ، به سرعت به مقدار اشباع می رسد و جریان تیریستور فقط توسط امپدانس بار محدود می شود .

بهتر است به منظور تشریح مشخصه و خواص تیریستور حالتهای مختلف آن را (از نظر بایاس ) مورد بررسی قرار دهیم .

1-2-مشخصات تیریستور

برای اینکه بتوان وسیله های الکترونیکی را با کیفیت کافی مورد استفاده قرار داد و از آنها محافظت کرد بایستی مشخصات و خواص آنها کاملا معلوم شوند . مشخصات تیریستور را می توان با ملاحظه سه حالت مختلف اصلی این وسیله تعیین کرد :

شرایط بایاس معکوس

بایاس مستقیم و مسدود

بایاس مستقیم و هدایت

1-2-1-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)

در این حالت اتصالات اول و سوم به طور معکوس اتصال دوم به طور مستقیم بایاس می شوند و درست مثل یک اتصال p-n مقدار کمی جریان نشتی از کاتد به آند عبور خواهد کرد .

اعمال ولتاژ محرک مثبتی به دریچه تیریستور در حالی که آند هنوز منفی است سبب می شود که تیریستور رفتاری شبیه ترانزیستور داشته باشد و جریان معکوس نشتی آند تا مقدار قابل ملاحظه مقایسه ای با جریان دریچه افزایش یابد ، از این رهگذر اتلاف قدرت قابل ملاحظه ای در تیریستور وقوع خواهد یافت . زیاد گرم شدن اتصال می تواند سبب افسار گسیختگی حرارتی شود .

جریان آند با جریان اشباع معکوس اتصال اول به اضافه کسری از

جریان دریچه برابر است . جریان اشباع بستگی به درجه حرارت دارد . بنابراین بالا رفتن درجه حرارت اتصال باعث افزایش جریان اشباع می شود که آن نیز موجب گرم شدن بیشتر اتصال می شود . ولتاژ بیشینه دریچه در شرایط بایاس معکوس غالباً توسط سازندگان برای محدود کردن اثر حرارت معین می شود .

افزایش ولتاژ بایاس معکوس باعث پهن شدن لایه های تهی اتصالات اول و سوم می شود . اتصال اول معمولاً بخش اعظم ولتاژ آند به کاتد را مسدود می کند ، لذا منطقه تهی این اتصال غالباً پهن است . به خاطر اینکه ولتاژ مسیر سوراخ کنی توسط تماس لایه های تهی اتصالات و به وجود نیاید لایه n وسطی را کمی پهن می سازند .

1-3-2-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به کاتد مثبت)

اتصالات اول و سوم بایاس مستقیم و اتصال دوم بایاس معکوس می شود . جریان آند در خلال مدتی که یک اتصال p-n بایاس معکوس وجود دارد ، خیلی کم است و مقدارش برابر با جریان اشباع اتصال دوم به اضافه

دانلود پروژه تیریستور (word)

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 27

1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند بود.

جریان ناشی از :

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال

3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه می یابند اتصال را قطع می کند .

4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

(الف) مدلهای دیودی تیریستور

تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته اند . اگر دریچه بایاس نشود ولی به دو سر آند و کاتد ولتاژ بایاسی اعمال شود این ولتاژ هر قطبیتی که داشته باشد همواره حداقل یک اتصال معکوس بایاس شده ، وجود خواهد داشت تا از هدایت تیریستور جلوگیری کند .

اگر کاتد توسط ولتاژ منبع تغذیه (نسبت به آند ) منفی شود و دریچه نسبت به کاتد به طور مثبت بایاس شود لایه p دریچه توسط کاتد از الکترون لبریز می شود و خاصیت خودش را به عنوان لایه p از دست می دهد . در نتیجه تیریستور به دیود هدایتی معادلی تبدیل می شود .

(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور

پولک p-n-p-n را می توان به صورت دو ترانزیستور با دو ناحیه پایه در نظر گرفت . کلکتور ترانزیستور n-p-n ، جریان محرکی برای پایه ترانزیستور p-n-p که جریان کلکتورش اضافه جریان دریچه به مثابه جریان محرک پایه ترانزیستور n-p-n است ، مهیا کند .

برای روشن کردن تریستور جریان دریچه به جزء خیلی حساس ترانزیستور n-p-n از اتصال p-n-p-n اعمال می شود . اولین ده درصد افزایش جریان آند ، در اصل جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n است . پایه n ترانزیستور p-n-p توسط جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n باردار می شود . در نتیجه فیدبک مثبتی توسط جریان کلکتور ترانزیستور p-n-p به منظور افزایش بارهای ایجاد شده در پایه p ترانزیستور n-p-n دایر می شود . به این ترتیب جریان تیریستور شروع به افزایش می کند ، به سرعت به مقدار اشباع می رسد و جریان تیریستور فقط توسط امپدانس بار محدود می شود .

بهتر است به منظور تشریح مشخصه و خواص تیریستور حالتهای مختلف آن را (از نظر بایاس ) مورد بررسی قرار دهیم .

1-2-مشخصات تیریستور

برای اینکه بتوان وسیله های الکترونیکی را با کیفیت کافی مورد استفاده قرار داد و از آنها محافظت کرد بایستی مشخصات و خواص آنها کاملا معلوم شوند . مشخصات تیریستور را می توان با ملاحظه سه حالت مختلف اصلی این وسیله تعیین کرد :

شرایط بایاس معکوس

بایاس مستقیم و مسدود

بایاس مستقیم و هدایت

1-2-1-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)

در این حالت اتصالات اول و سوم به طور معکوس اتصال دوم به طور مستقیم بایاس می شوند و درست مثل یک اتصال p-n مقدار کمی جریان نشتی از کاتد به آند عبور خواهد کرد .

اعمال ولتاژ محرک مثبتی به دریچه تیریستور در حالی که آند هنوز منفی است سبب می شود که تیریستور رفتاری شبیه ترانزیستور داشته باشد و جریان معکوس نشتی آند تا مقدار قابل ملاحظه مقایسه ای با جریان دریچه افزایش یابد ، از این رهگذر اتلاف قدرت قابل ملاحظه ای در تیریستور وقوع خواهد یافت . زیاد گرم شدن اتصال می تواند سبب افسار گسیختگی حرارتی شود .

جریان آند با جریان اشباع معکوس اتصال اول به اضافه کسری از

جریان دریچه برابر است . جریان اشباع بستگی به درجه حرارت دارد . بنابراین بالا رفتن درجه حرارت اتصال باعث افزایش جریان اشباع می شود که آن نیز موجب گرم شدن بیشتر اتصال می شود . ولتاژ بیشینه دریچه در شرایط بایاس معکوس غالباً توسط سازندگان برای محدود کردن اثر حرارت معین می شود .

افزایش ولتاژ بایاس معکوس باعث پهن شدن لایه های تهی اتصالات اول و سوم می شود . اتصال اول معمولاً بخش اعظم ولتاژ آند به کاتد را مسدود می کند ، لذا منطقه تهی این اتصال غالباً پهن است . به خاطر اینکه ولتاژ مسیر سوراخ کنی توسط تماس لایه های تهی اتصالات و به وجود نیاید لایه n وسطی را کمی پهن می سازند .

1-3-2-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به کاتد مثبت)

اتصالات اول و سوم بایاس مستقیم و اتصال دوم بایاس معکوس می شود . جریان آند در خلال مدتی که یک اتصال p-n بایاس معکوس وجود دارد ، خیلی کم است و مقدارش برابر با جریان اشباع اتصال دوم به اضافه

جریانهای دوفازی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

محیطهای قابل انطباق چند زمینه ای برای انتقال گرما و مدل سازی جریان سیالات

ب.کالیمور ، اس .جی رینگ، جی بامن

چکیده :

خوشبختانه عصر آبزار آلات شبیه سازی ورودی ثابت روبه نابودی است و ایجاد روشهای انعطاف پذیرتر و منسجم روبه تحول است . مهندسی هم زمان ، زمانی به معنای تفسیر خودکار اطلاعات میان کدهای مونولیتیک بود اما کاربران پیچیده تر نیاز به ابزارهای کاملاً بومی تر راحت طراحی دارند. و فقط ارزیابی طرحهای منطقه ای مشکل آنها را حل نمی کند. پیشرفتهای صورت گرفته در فن آوری میان پروسه ای ارتباطات و راه حلهای عدسی برای برآوردن این نیازها به نتایج فراوانی دست یافته است .

این مقاله به توصیف برشی کوچک از سیالاتی گسترده برای برآوردن نیازهای فعلی و آتی ابزارهای کامل چند رشته ای می پردازد که در آن می توان نیازهای کاربران نهایی و اشخاص ثالث راتعدیل کرد. بویژه توانایی یکسان کردن راه حلهای کاملاً گرمایی و سیالی و شبیه سازی آن در نرم افزار اکسل به تفصیل آمده است . کاربران امروزه می توانند نه تنها رابطهای سفارشی کاربران را فراهم آوردند بلکه می توانند از این کدها بعنوان مدخلهایی برای اعمال انسجام بخش در یک مقیاس وسیع بهره ببرند . ابتدا فن آوری های توانمند ساز قبلی را توضیح خواهیم دارد و سپس به ذکر نمونه ها و واکنش های موجود در رابطه با قابلیتهای موجود رامعرفی می کنیم و در نهایت به صورت فهرست وار فن آوریهای در حال پیشرفت و آینده را خواهیم آورد.

سابقه و زمینه مطالعه

تقریباً همه ابزارهای شبیه سازی مهندسی مکانیک از جمله برنامه های قدیمی N.D.A و TRAYS و بسیاری از نسلهای آنها بصورت تحلیل گر دسته ای و ثابت راه حلهای از پیش تعریف شده آغاز شد (مثل تعریف شارها و عایق و پیش بینی دما )

ساخت و ابداع رابطه کاربرگرافیکی (GUI) در دهه 80و90 تا حدود زیادی با کاهش تلاش برای ساخت و تایید مدلهای گرمایی به کمک انسان آمد. به همین نحو، ابزارهای ترجمه خودکار . صادرات و واردات بین CADکدهای ساختاری و FEM جای خود رابه کدهای گرمایی صفحه کاروDESKTQ داد و این کار باعث حذف محاسبات مشکل و پراشتباه شد . چنین پیشرفتهایی در زمینه رابطه کاربر. تبدیل خودکار و ارتباطات مستقیم هر سال ادامه یافت و کدهای جدید و حتی انواع کدهای مدرن متولدشد.

با این حال چنین تبدیل ها و ترجمه هایی معمولاً به رویدادهای تک زمانه در طی پروسه ساخت یک مدل محدود می شود .

مثلاً هندسه CAP (به کمک کامپیوتر ) را می توان به یک مدل گرمایی تبدیل کرد و یا بعنوان یک چهارچوب برای مدل سازی گرمایی اجسام مورد استفاده قرار داد اما تغییراتی همچون ابعاد و طرح راباید ابتدا بصورت دستی تهیه کرد.

در حدود سال 1990 و معرفی و پذیرش ابزارهای مدل سازی پارامتریک CAP نظیر پیش مهندسی پارامتریک تحولات عظیمی روی داد. در این روش می شد ابعاد و دیگر ویژگیها (مختصات) رابصورت پارامتریک توصیف کرد نه ارزشهای عددی ثابت ، امروزه همه بسته های معروف طراحی مکانیک دارای مدلسازی پارامتریک هستند یعنی قوانین ، شاخص هاو نمادهای هندسی که براساس آنها طراحها میتوان تغییر و تنظیم کرد.

متاسفانه بیشتر نسبتهای ارزیابی طرحهای مکانیکی (مثل ابزارهای شبیه سازی) از تحول بویی نبرده اند . البته بجز استثنایی همچون ANSYS و دیگر کدهای ساختاری ، ابزارهای تحلیل گرمایی در کل دچار پس رفت شده اند .

FLVIN / SINDA بصورت داخلی در اواسط دهه 90 بازنویسی شد تا از مراحل مدل سازی پارامتریک بهره بگیرد.

مدلها رانیز می توان در هندسه های جدید کاملاً به مقیاس کوچکتر بدل کرد. رومیزی گرمایی و مدلهای همراه آن یعنی RADCDP و FLOCADR در 10 سال اخیر ایجاد شد و زمینه بهره برداری طرحها از پیش بینی های صورت گرفته فراهم آمد. در آن زمان محبوبیت روشهای مدل سازی پارامتریک تثبیت شد.

این محبوبیت ناشی از افزایش سهولت استفاده است نظیر توانایی ایجاد تغییرات گسترده در مدلها گرمایی در یک مدل ساده و متمرکز . تغییر در یک مدل یک بعدی (در قطر یا طول سال ) بصورت خودکار در مدل پخش می شود . این مسئله طبیعتاً به اتوماسیون (خودکار سازی ) تغییرات می انجامد اما در خصوص کارها از FLUINT/SINDA می توان برای انتخاب یک یا چند مقدار و حتی اندازه گیری تا بهینه سازی آنها استنان کردهمچنین می توان از آنها برای تنظیم آنها برای اطلاعات آزمایشی و یا انجام طرحهای آماری استفاده کرد.

افزودن مدلهای پارامتریک می تواند برای برنامه نویسی مفید باشد چرا که کدهای ثابت مورد نیاز اورا فراهم می آورد. باید دانست که در یک دنیای چند رشته ای می توان از طریق یکی کردن ابزارهای چندگانه توانایی بالایی داشت بویژه اگر هر ابزار قادر به مدلسازی پارامتریک باشد .

بجای (یا علاوه بر ) تبدیل دیگری از داده ها ، گروههایی از دیگر مدلهای مستقل می توانند صرفاً با تبادل چند مقدار ساده ارتباط داشته باشند .

توانایی دادن فرمانهای کلی به یک مدل از خارج از آن که از طریق تبادل چند پارامتریک نه تنها محیطهای طراحی چند رشته ای را میسر می سازد بلکه به کاربران امکان می دهد تا رابطه کاربرهای تا خود مسیرهای ارتباطی میان خود رابنویسند.